目錄kclo3反應(yīng)方程式 初中化學(xué)常用的化學(xué)方程式 由一種原子直接構(gòu)成的物質(zhì) 初中所有化學(xué)式和化學(xué)方程式 高氯酸鉀爆炸方程式
氯酸鉀的化學(xué)式為KClO，它是一種無色片狀結(jié)晶或白色顆粒粉末，味咸而涼，強(qiáng)氧化劑。
氯酸鉀在常溫下穩(wěn)定，但在400℃以上則分解并放出氧氣，與還原劑、有機(jī)物、易燃物如硫、磷或金屬粉末等混合可形成爆炸性混合物，急劇加熱時(shí)可發(fā)生爆炸。
氯酸鉀是一種敏感度很高的炸響劑，如混有一定雜質(zhì)，有時(shí)候甚至?xí)谌展庹丈湎伦员鰸饬蛩釙ǎ膳c用二氧化錳做催化劑，在加熱條件下反應(yīng)生成氧氣。
氯酸鉀絕不能用以與鹽酸反應(yīng)制備氯氣，因?yàn)闀纬梢妆亩趸龋哺举R段不能得到純凈的氯氣。
氯酸鉀用途較廣，用于炸藥、煙花、鞭炮、高級安全火柴,醫(yī)藥、攝影藥劑、分析試劑、氧化劑及火箭、導(dǎo)彈推進(jìn)劑等。
擴(kuò)展資料:
氯酸鉀中毒的急救措施：
1、皮膚接觸氯酸鉀：脫去被污染的衣著，大量清水沖洗接觸部位。
2、眼睛接觸氯酸鉀：提起眼瞼，用流動清水或生理鹽消豎水沖洗，并及時(shí)就醫(yī)。
3、吸入氯酸鉀氣味：迅速脫離現(xiàn)場至空氣新鮮禪橋譽(yù)處，保持呼吸道通暢，如果呼吸困難，則需要輸氧，如果呼吸停止，立即進(jìn)行人工呼吸，且立即就醫(yī)。
4、食入氯酸鉀：飲足量溫水，催吐，立即送醫(yī)院就醫(yī)。
參考資料來源：-氯酸鉀
氯酸鉀的化學(xué)式為KClO?。
氯酸鉀為無色片狀結(jié)晶或白色顆粒粉末，味咸而涼，強(qiáng)氧化劑。常溫下穩(wěn)定，在400℃ 以上則分解并放出氧氣，與還原劑、有機(jī)物、易燃物如硫、磷或金屬粉末等混合可形成爆炸性混合物，急劇加熱時(shí)可發(fā)生爆炸。
因此氯酸鉀是一種敏感度很高的炸響劑，如混有一定雜質(zhì)，有時(shí)候甚至?xí)谌展庹丈湎伦员Ｓ鰸饬蛩釙ā？捎枚趸i做催化劑，在加熱條件下反應(yīng)生成氧氣。由離子構(gòu)成。氯酸鉀絕不能用以與鹽酸反應(yīng)制備氯氣，因?yàn)闀纬舌嵱妆亩趸龋哺静荒艿玫郊儍舻穆葰狻?/p>
化學(xué)性質(zhì)
氯酸鉀是強(qiáng)氧化劑。如有催化劑等存在，在較低溫度下就能分解而強(qiáng)烈放出氧氣。這里特別需要說明的是，氯酸鉀分解放氧是放熱反應(yīng)。在酸性溶液中有強(qiáng)氧化作用。與碳、磷及有機(jī)物或可燃物混合受到撞擊時(shí)，都易發(fā)生燃燒和爆炸。
受熱分解：2KClO3=2KCl+3O2[有催化劑時(shí)（如MnO2等）可加速分解]
與濃硫酸反應(yīng)的化學(xué)方程式如下：
KClO3+H2SO4=KHSO4+HClO3
3HClO3=HClO4+2ClO2↑+H2O(氯酸不穩(wěn)定，會歧化為高氯酸、二氧化氯和水)
2ClO2=Cl2+2O2(二氧化氯也不穩(wěn)定，會分解為氯氣和氧氣)
總反應(yīng)方程式：3KClO3+3H2SO4=3KHSO4+HClO4+Cl2↑+2O2↑+H2O
此反應(yīng)生成的氯酸、高氯酸、二氧化氯的濃襪叢裂度非常高，極易爆炸。告閉
氯酸鉀化學(xué)式為KClO3。
一、氯酸鉀的物理性質(zhì)：氯酸鉀呈無色或白色結(jié)晶性粉末，昌握帶分子量為122.549，熔點(diǎn)356℃，沸點(diǎn)為400℃。
二、氯皮雀酸鉀的化學(xué)性質(zhì)：氯酸鉀是一種無機(jī)化合物，是強(qiáng)氧化劑。在400℃ 以上則分解并放出氧氣，與還原劑、有機(jī)物、易燃物如硫、磷或金屬粉末等混合可形成爆炸性混合物，急劇加熱時(shí)可發(fā)生爆炸。
1.與濃硫酸可以發(fā)生化學(xué)發(fā)應(yīng)：
3KClO3+3H2SO4=3KHSO4+HClO4+Cl2↑+2O2↑+H2O
2.受熱會發(fā)生分解：2KClO3==加熱==2KCl+3O2↑
以上內(nèi)容參考耐蘆：-氯酸鉀
氯酸鉀的化學(xué)式為：實(shí)驗(yàn)室用氯酸鉀制取氧氣的化學(xué)方程式為：
氯酸鉀（Potassium Chlorate）是一種無機(jī)化合物，化學(xué)式為KClO?。為無色片狀結(jié)晶或白色顆粒粉末，味咸而涼，強(qiáng)氧化劑。常溫鬧緩下穩(wěn)定，在400℃ 以上則液碧模分解并放出氧氣。慧纖
熱氧化
硅在空氣中會氧化形成天然的氧化層的過程稱為熱氧化[1]。
中文名
熱氧化
硅IC成功的一個(gè)主要原因是，能在硅表面獲得性能優(yōu)良的天然二氧化硅層。該氧化層在MOSFET中被用做柵絕緣層，也可作為器件之間隔離的場氧化層。連接不同器件用的金屬互聯(lián)線可以放置在場氧化層頂部。大多數(shù)其他的半導(dǎo)體表面不能形成質(zhì)量滿足器件制造要求的氧化層。
硅在空氣中會氧化形成大約厚2.5nm的天然氧化層。但是，通常的氧化反應(yīng)都搏悄在高溫下進(jìn)行，因?yàn)榛竟に囆枰鯕獯┻^已經(jīng)形成的氧化層到達(dá)硅表面，然后發(fā)生反應(yīng)。圖1給出了氧化過程的示意圖。氧氣通過擴(kuò)散過程穿過直接與氧化層表面相鄰的凝滯氣體層，然后穿過已有的氧化層到達(dá)硅表面，然后在這里與硅反應(yīng)形成二氧化硅。由于該基侍渣反應(yīng)，表面的硅被消耗了一部分。被消耗的硅占最后形成氧化層厚度談卜的44%[1]。
