電化學沉積法？1、金屬或合金從其化合物水溶液、非水溶液或熔鹽中電化學沉積的過程。是金屬電解冶煉、電解精煉、電鍍、電鑄過程的基礎。這些過程在一定的電解質和操作條件下進行，金屬電沉積的難易程度以及沉積物的形態與沉積金屬的性質有關，也依賴于電解質的組成、pH值、溫度、電流密度等因素;2、那么，電化學沉積法？一起來了解一下吧。
1、金屬或合金從其化合物水溶液、非水溶液或熔鹽中電化學沉積的過程。是金屬電解冶煉、電解精煉、電鍍、電鑄過程的基礎。這些過程在一定的電解質和操作條件下進行，金屬電沉積的難易程度以及沉積物的形態與沉積金屬的性質有關，也依賴于電解質的組成、pH值、溫度、電流密度等因素;
2、電泳涂漆中的一個過程，在直流電場作用下帶電荷的樹脂粒子到達相反電極，通過放電或得到電子析出不溶于水的漆膜沉積在被涂物表面。它是電泳涂裝過程中的主要反應，反應時首先是在電力線密度特別高的部位進行(如被涂物的邊緣棱角和尖端處，一旦沉積發生，被涂物就具有一定程度的絕緣性，電沉積逐漸向電力線密度低的部位移動，直到最后得到完全均勻的涂層為止。
電化學沉積法有氣相沉積，液相沉積等等。氣相沉積是將要包含要沉積元素的物質弄成氣態形式通入反應室，在一定條件下進行分解，沉積在底片上。液相沉積就是將該物質的業態形式直接放在底片上進行沉積。
恒電流法，恒電位法。
恒電流法是指通過控制電流的強度，使金屬表面沉積出均勻的涂層。
2、恒電位法則是指通過控制電極電位，使金屬表面沉積出均勻的涂層。
3、這兩種方法都是通過控制電化學反應的條件來實現對涂層沉積過程的控制。
穩態法和暫態法
動電位掃描（線性極化，tafel極化，循環伏安，陽極極化，陰極極化）；
電化學交流阻抗；
電化學噪聲法
沉積二氧化錳用恒流恒壓動電勢
電化學氣相沉積(CVD)是半導體工業中應用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術，包括大范圍的絕緣材料，大多數金屬材料和金屬合金材料。從理論上來說，它是很簡單的：兩種或兩種以上的氣態原材料導入到一個反應室內，然后他們相互之間發生化學反應，形成一種新的材料，沉積到晶片表面上。淀積氮化硅膜(Si3N4)就是一個很好的例子，它是由硅烷和氮反應形成的。
然而，實際上， 反應室中的反應是很復雜的，有很多必須考慮的因素，沉積參數的變化范圍是很寬的：反應室內的壓力、晶片的溫度、氣體的流動速率、氣體通過晶片的路程(如圖所示)、氣體的化學成份、一種氣體相對于另一種氣體的比率、反應的中間產品起的作用、以及是否需要其它反應室外的外部能量來源加速或誘發想得到的反應等。額外能量來源諸如等離子體能量，當然會產生一整套新變數，如離子與中性氣流的比率，離子能和晶片上的射頻偏壓等。
然后，考慮沉積薄膜中的變數：如在整個晶片內厚度的均勻性和在圖形上的覆蓋特性(后者指跨圖形臺階的覆蓋)，薄膜的化學配比(化學成份和分布狀態)，結晶晶向和缺陷密度等。當然，沉積速率也是一個重要的因素，因為它決定著反應室的產出量，高的沉積速率常常要和薄膜的高質量折中考慮。
以上就是電化學沉積法的全部內容，恒電流法，恒電位法。恒電流法是指通過控制電流的強度，使金屬表面沉積出均勻的涂層。2、恒電位法則是指通過控制電極電位，使金屬表面沉積出均勻的涂層。3、這兩種方法都是通過控制電化學反應的條件來實現對涂層沉積過程的控制。
